انقلاب در تولید تراشهها با فناوری Cryogenic Etching شرکت Lam Research
فینیکس، آریزونا — ۷ اکتبر ۲۰۲۵ — انجمن صنعتی SEMI، که زنجیرهی تأمین جهانی طراحی و ساخت نیمههادی و الکترونیک را نمایندگی میکند، شرکت Lam Research Corp. را به عنوان برندهی جایزه SEMI آمریکای شمالی در سال ۲۰۲۵ معرفی کرد. شرکت Lam این جایزه را به دلیل توسعهی فناوری زدایش کرایوژنیک (Cryogenic Etch) دریافت کرد؛ نوآوری بنیادینی که تولید افزارههای 3D NAND را برای کاربردهای دادهمحور و هوش مصنوعی امروزی متحول میسازد. این جایزه توسط SEMI Americas در نمایشگاه SEMICON® West، بزرگترین رویداد میکروالکترونیک، که این هفته در فینیکس، آریزونا برگزار شد، به Lam اهدا گردید.
رشد سریع هوش مصنوعی مولد (Generative AI) و هوش مصنوعی درون دستگاهی (On-device AI) نیاز به راهحلهای حافظهای با ظرفیت و عملکرد بالا را بهصورت تصاعدی افزایش داده است. 3D NAND اکنون به معماری استاندارد برای حافظهی فلش تبدیل شده است و شرکتها در تلاشاند تا با یکپارچهسازی صدها لایه، تراکم و عملکرد را افزایش دهند. دستیابی به این هدف مستلزم فناوریهای پیشرفتهی زدایش است که عمق زیاد، دقت بالا و تکرارپذیری فرایند را فراهم سازد — عواملی کلیدی در تحقق نقشهی راه صنعت برای دستگاههای با ۱۰۰۰ لایه تا سال ۲۰۳۰.
جو استوکنس (Joe Stockunas)، رئیس SEMI Americas، گفت:
“جایزه SEMI آمریکای شمالی بیش از ۴۵ سال است که نوآوریهای برجسته در صنعت نیمههادی را مورد تقدیر قرار میدهد. ما مفتخریم که از شرکت Lam قدردانی کنیم — شرکتی که فناوری پیشگامانهی زدایش کرایوژنیک آن نهتنها میراث این شرکت در نوآوری فرایند زدایش را نشان میدهد، بلکه رهبری آن را در فناوری زدایش دیالکتریک 3D NAND برای پیشبرد نوآوری در صنعت نیز اثبات میکند.”
فناوری زدایش کرایوژنیک در دماهای پایین عمل میکند و امکان استفاده از شیمیهای جدیدی را فراهم میسازد که قابلیت زدایش نسبت بالای عمق به عرض (High Aspect Ratio Etching) را بهطور چشمگیری ارتقا میدهد. نسل سوم این فناوری، یعنی Lam Cryo™ 3.0، یک نوآوری تحولآفرین است که سرعت زدایش بالاتر، پروفایلهای کاملاً عمودی و کنترل فرایندی بهبود یافته را ارائه میدهد — عواملی حیاتی برای ساخت ساختارهای پیچیدهی 3D NAND و بهبود مقیاسپذیری.
علاوه بر مزایای عملکردی، Lam Cryo 3.0 مصرف انرژی در هر ویفر را تا ۴۰٪ کاهش و میزان انتشار آلایندهها را تا ۹۰٪ کمتر از فرایندهای زدایش متداول میکند.
تائه وون کیم (Tae Won Kim)، معاون ارشد بخش زدایش دیالکتریک در Lam Research گفت:
“در حالی که صنعت برای کوچکتر و انباشته کردن حافظه تلاش میکند، فناوری Lam Cryo 3.0 موانع کلیدی مقیاسپذیری را برطرف میکند و مسیر را برای دستیابی به 3D NAND با هزار لایه هموار میسازد. ما از SEMI بابت این تقدیر سپاسگزاریم و به تیمهای توسعهی بینظیر خود در سراسر جهان افتخار میکنیم که با نوآوریهایشان در واکنشهای پلاسما، فرایندها و شیمی، تولید میلیونها ویفر NAND پیشرفته را با فناوری زدایش کرایوژنیک Lam ممکن کردهاند.”
جایزه SEMI بالاترین افتخار اعطایی از سوی منطقهی آمریکای SEMI است که در سال ۱۹۷۹ با هدف تقدیر از دستاوردهای فنی برجسته و مشارکتهای ارزشمند در حوزههای مختلف از جمله:
- مواد نیمههادی،
- ساخت ویفر، مونتاژ و بستهبندی،
- کنترل فرایند، بازرسی و تست،
- رباتیک و خودکارسازی،
- بهبود کیفیت و یکپارچگی فرایند.
نامزدی برای این جایزه برای افراد یا تیمهایی از صنعت و دانشگاهها که دستاوردهای آنها تأثیر تجاری گسترده و اهمیت فنی چشمگیری در صنعت نیمههادی داشته باشد امکانپذیر است. SEMI اکنون از افراد یا تیمهای عضو شرکتهای آمریکای شمالی دعوت میکند تا برای جایزه SEMI آمریکای شمالی ۲۰۲۶ نامزد شوند.
نمایشگاه SEMICON West 2026 در اکتبر در سانفرانسیسکو برگزار خواهد شد و در سال ۲۰۲۷ دوباره به فینیکس بازمیگردد تا هر سال بهصورت متناوب بین این دو شهر برگزار شود.
