۱
آموزش تئوری و مبانی فرایند
آشنایی با ساختار فرایند فوتولیتوگرافی، مواد مصرفی، ماسک، فوتورزیست، اصول انتقال الگو، رزولوشن، آلودگی و الزامات ایمنی آزمایشگاه.
مدت دوره
۹ ساعت آموزشی
ظرفیت هدف
۹ نفر
محل اجرا
دانشگاه تهران
تاریخ هدف
پاییز ۱۴۰۵
تبدیل طرح ماسک به الگوی کروم روی ویفر سیلیکونی
شرکتکنندگان مراحل کلیدی فوتولیتوگرافی را در یک تیم کوچک تجربه میکنند: آمادهسازی زیرلایه، پوششدهی فوتورزیست، نوردهی UV، ظهور، اچ مرطوب کروم، حذف فوتورزیست و ارزیابی کیفیت الگوی ایجادشده روی ویفر.
خلاصه اجرایی دوره
این دوره عملی، چارچوبی ساختارمند برای آشنایی دانشجویان و علاقهمندان حوزه
میکروالکترونیک با مسیر واقعی انتقال الگو در محیط آزمایشگاهی
فراهم میکند. شرکتکنندگان در قالب یک تیم کوچک، مراحل اصلی ایجاد الگو روی
ویفر سیلیکونی را از آمادهسازی نمونه تا ارزیابی نهایی تجربه خواهند کرد.
ساختار آموزشی دوره بر سه محور اصلی
آموزش تئوری و مبانی فرایند،
ساخت و انتقال الگو روی ویفر و
ارزیابی و تحلیل کیفیت
طراحی شده است.
مسیر یادگیری
۲
ساخت و انتقال الگو روی ویفر
اجرای عملی بازرسی اولیه، پوششدهی، نوردهی UV، ظهور، بازرسی پیش از اچ، اچ مرطوب کروم و حذف فوتورزیست از سطح نمونه.
۳
ارزیابی و تحلیل کیفیت
مشاهده میکروسکوپی، مقایسه الگوی ایجادشده با ماسک، تحلیل عیبهای فرایندی و ارزیابی کیفیت الگوی نهایی روی ویفر.
ضرورت و ارزش پیشنهادی دوره
- فوتولیتوگرافی یکی از پایهایترین مهارتهای عملی در ساخت ادوات نیمهرسانا، MEMS، حسگرها و سامانههای میکروالکترونیکی است.
- بسیاری از مخاطبان تنها با مبانی نظری فرایند آشنا هستند و تجربه مستقیم از کار با ویفر، فوتورزیست، ماسک و نوردهی در محیط آزمایشگاهی ندارند.
- این دوره کوتاه، ساختارمند و نتیجهمحور، فاصله میان آموزش دانشگاهی و تجربه واقعی فرایند ساخت در آزمایشگاه را کاهش میدهد.
- ظرفیت محدود دوره، امکان مشارکت فعالتر هر فرد در مراحل کلیدی فرایند و مشاهده دقیقتر اثر پارامترهای فرایندی را فراهم میکند.
دامنه فنی و خروجی عملی دوره
نمونه نهایی دوره:
ایجاد یک الگوی قابل مشاهده از کروم
(Cr)
روی زیرلایه سیلیکونی
(Si)
با استفاده از فوتورزیست، نوردهی فرابنفش
(UV)،
ظهور، اچ مرطوب کروم و حذف فوتورزیست.
Silicon Wafer (Si)
Chromium Thin Film (Cr)
Positive Photoresist
Photomask
UV Exposure
Spin Coating
Wet Etching
Optical Microscopy
Process Inspection
اهداف آموزشی دوره
- درک منطق کامل فوتولیتوگرافی و انتقال الگو؛ از ماسک تا شکلگیری الگوی نهایی.
- مشارکت عملی در مراحل کلیدی شامل اسپینکوت، پخت نرم، نوردهی، ظهور و اچ.
- شناخت رابطه میان پارامترهای فرایند و کیفیت نهایی الگو روی نمونه.
- مشاهده اثر نوردهی، ظهور یا اچ نامناسب بر کیفیت ساختار ایجادشده.
- تقویت مهارت کنترل کیفیت اولیه با استفاده از میکروسکوپ و ثبت عیبها.
- توانایی تحلیل مقدماتی ریشه عیوب فرایندی در الگوهای فوتولیتوگرافی.
ساختار آموزشی و سرفصلهای تفصیلی
۱
آمادهسازی، ایمنی و مبانی فرایند
مرور الزامات HSE، آشنایی با محیط آزمایشگاه، معرفی توالی عملی ساخت، اصول کنترل آلودگی، شناخت مواد مصرفی و آمادهسازی اولیه نمونه و ویفر. این بخش، یک ساعت از زمان کل دوره را به خود اختصاص میدهد.
۲
آموزش تئوری و مبانی فوتولیتوگرافی
بررسی ساختار ویفر، فیلم نازک کروم، فوتورزیست مثبت، ماسک، رزولوشن، انتقال الگو و علت هر مرحله از فرایند. خروجی این بخش، درک کامل توالی ساخت و نقش پارامترهای کلیدی است.
۳
ساخت و انتقال الگو روی ویفر
اجرای بازرسی اولیه، آبزدایی، اسپینکوت، پخت نرم، نوردهی UV، ظهور، بازرسی پیش از اچ، اچ مرطوب کروم و حذف فوتورزیست. هر گروه یک نمونه الگوی کروم روی سیلیکون ایجاد خواهد کرد.
۴
ارزیابی و تحلیل کیفیت الگو
تصویربرداری میکروسکوپی، مقایسه نمونه با ماسک، اندازهگیری تقریبی خطوط، شناسایی عیوبی مانند undercut، باقیمانده کروم و چسبندگی ضعیف و ثبت نتایج در فرم گزارش کیفیت.
دستاوردهای مورد انتظار
- توانایی توضیح مسیر کامل فوتولیتوگرافی، از ماسک تا الگوی نهایی.
- کسب تجربه عملی از کار با ویفر سیلیکونی و لایه نازک کروم.
- آشنایی کاربردی با فوتورزیست مثبت، اسپینکوت و مراحل نوردهی UV.
- درک نقش ظهور، اچ مرطوب و حذف فوتورزیست در انتقال صحیح الگو.
- توانایی مشاهده، ثبت و تحلیل مقدماتی عیوب الگو با میکروسکوپ.
- آمادگی بیشتر برای ورود به پروژههای ساخت ادوات، MEMS و میکروالکترونیک.
