خانه/وبلاگ/اخبار/چالش جدید برای EUV: سرمایه‌گذاری ۱۵۰ میلیون دلاری آمریکا روی نور FEL
اخبار

چالش جدید برای EUV: سرمایه‌گذاری ۱۵۰ میلیون دلاری آمریکا روی نور FEL

چالش جدید برای EUV: سرمایه‌گذاری ۱۵۰ میلیون دلاری آمریکا روی نور FEL
24 آذر 1404 45 بازدید
imPark

سرمایه‌گذاری دولت آمریکا روی xLight؛ تلاش برای رقابت با EUV در لیتوگرافی تراشه

استارتاپ آمریکایی xLight با حمایت برنامه CHIPS & Science Act مبلغ ۱۵۰ میلیون دلار یارانه فدرال دریافت کرده است تا یک منبع نور پیشرفته مبتنی بر Free-Electron Laser (FEL) برای لیتوگرافی تراشه توسعه دهد.

بخشی از بودجه فدرال ایالات متحده به شرکت xLight اختصاص یافته است تا بر توسعه منبع نوری مبتنی بر شتاب‌دهنده ذرات FEL تمرکز کند؛ منبعی که هدف آن تولید نور EUV با کارایی، دقت و پایداری بالاتر نسبت به فناوری‌های متداول کنونی است. در صورت موفقیت، این فناوری می‌تواند معادلات فعلی لیتوگرافی تراشه را تغییر دهد.


منبع نور FEL و تفاوت آن با EUV فعلی

فناوری Free-Electron Laser با استفاده از شتاب‌دهنده‌های ذره، امکان تولید نور بسیار پرتوان و پایدار را فراهم می‌کند.
در مقایسه با منابع EUV کنونی که بسیار پیچیده، گران‌قیمت و محدود به تعداد کمی تأمین‌کننده هستند، FEL می‌تواند گزینه‌ای منعطف‌تر و بالقوه کارآمدتر برای نسل‌های آینده لیتوگرافی باشد.

مسیر توسعه و همکاری‌های تحقیقاتی

شرکت xLight قصد دارد نمونه اولیه این سیستم را در Albany Nanotech Complex توسعه دهد و آن را با شبکه آزمایشگاهی وزارت انرژی آمریکا هماهنگ کند.
این همکاری زیرساختی، نقش مهمی در ارزیابی عملی بودن و مقیاس‌پذیری فناوری خواهد داشت.

پیامدهای صنعتی و زنجیره تأمین

در صورت موفقیت، منبع نور FEL می‌تواند انحصار فعلی بازار ابزارهای EUV را کاهش دهد و به تولیدکنندگان تراشه گزینه‌های بیشتری برای انتخاب بدهد.
این موضوع می‌تواند ریسک زنجیره تأمین را کاهش داده و حتی به کاهش هزینه تولید در گره‌های پیشرفته منجر شود.

نگاه استراتژیک و ریسک‌ها

سرمایه‌گذاری دولت آمریکا در xLight نشان‌دهنده اهمیت لیتوگرافی به‌عنوان هسته امنیت و استقلال صنعت نیمه‌هادی است. با این حال، مسیر تبدیل نمونه اولیه FEL به تولید انبوه پرریسک است و نیازمند حفظ هم‌زمان پایداری، کیفیت، بازده و هزینه خواهد بود.
تأخیر یا شکست در این مسیر می‌تواند انتظارات بازار را تحت تأثیر قرار دهد.


خلاصه خبر

استارتاپ xLight با دریافت ۱۵۰ میلیون دلار حمایت دولتی تحت CHIPS & Science Act، توسعه منبع نور FEL برای لیتوگرافی تراشه را آغاز کرده است.
این فناوری در صورت موفقیت می‌تواند رقیبی جدی برای EUV فعلی باشد و انحصار بازار ابزارهای لیتوگرافی را کاهش دهد.

Tags:
xLight، FEL، لیتوگرافی تراشه، EUV، CHIPS Act، صنعت نیمه‌هادی، ابزار ساخت

اشتراک گذاری
دیدگاه ها

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

با استفاده از روش های زیر می توانید این نوشته را با دوستانتان به اشتراک بگذارید