بررسی فنی دستیابی چین به نمونه اولیه سامانه لیتوگرافی EUV
تحلیل فنی، صنعتی و راهبردی گزارش Reuters درباره تلاش چین برای ورود به پیچیدهترین فناوری ساخت تراشههای پیشرفته
چکیده / Executive Summary
بر اساس گزارشی از Reuters، چین در اوایل سال ۲۰۲۵ موفق به توسعه یک نمونه اولیه از سامانهای شده است که از نظر مفهومی در رده فناوری Extreme Ultraviolet Lithography (EUV) قرار میگیرد. این گزارش تلاش میکند با نگاهی واقعگرایانه، جایگاه این دستاورد را در مقایسه با سامانههای تجاری شرکت ASML بررسی کرده و محدودیتهای فنی، صنعتی و زمانی آن را تحلیل کند. تمرکز اصلی تحلیل بر شکاف میان «نمونه آزمایشگاهی» و «تولید صنعتی پایدار» و همچنین پیامدهای ژئوپلیتیکی این فناوری در زنجیره جهانی نیمهرسانا است.
نکات کلیدی (Key Takeaways)
- فناوری EUV با طول موج ۱۳٫۵ نانومتر، پیشرفتهترین و پیچیدهترین روش لیتوگرافی حال حاضر جهان است.
- شرکت ASML تنها تأمینکننده سامانههای EUV تجاری بوده و این انحصار حاصل دههها توسعه مشترک صنعتی است.
- نمونه اولیه گزارششده در چین هنوز فاصله معناداری با بهرهبرداری صنعتی و تولید تراشههای قابل استفاده دارد.
- چالش اصلی چین در EUV نه منبع نور، بلکه سامانه اپتیکی، کنترل ارتعاش و یکپارچگی سیستم است.
- حتی در صورت پیشرفت تدریجی، فاصله فناوری چین با مرز High-NA EUV در کوتاهمدت حفظ خواهد شد.
۱. انحصار فناوری EUV و جایگاه ASML
Figure 1 — نمای داخلی سامانه لیتوگرافی EUV شرکت ASML
لیتوگرافی EUV در حال حاضر تنها فناوریای است که امکان تولید اقتصادی تراشههای پیشرفته موسوم به نسلهای زیر ۷ نانومتر را فراهم میکند. این نامگذاریها بیش از آنکه بیانگر ابعاد فیزیکی واقعی باشند، بیانگر سطح پیچیدگی فرآیند ساخت هستند.
شرکت هلندی ASML تنها تولیدکننده سامانههای EUV در جهان است. این سامانهها ترکیبی از زیرسیستمهای بسیار پیچیده شامل منبع نور پلاسما، آینههای چندلایه، محیط خلأ فوقپایدار و کنترل ارتعاشات در مقیاس زیر اتمی هستند.
هزینه هر سامانه EUV متداول بین ۱۶۰ تا ۲۰۰ میلیون یورو و در نسل High-NA EUV تا حدود ۳۵۰ میلیون یورو برآورد میشود. محدودیتهای صادراتی، چین را عملاً به استفاده از فناوری DUV 193nm محدود کرده است.
Figure 2 — سامانه High-NA EUV و الزامات زیرساختی آن
۲. نقش Huawei در توسعه زنجیره بومی EUV
طبق گزارش Reuters، شرکت Huawei به یکی از محورهای اصلی تلاش چین برای ایجاد زنجیره بومی نیمهرسانا تبدیل شده است. این نقش صرفاً محدود به طراحی تراشه نیست و حوزه تجهیزات ساخت، مواد و یکپارچهسازی سیستم را نیز در بر میگیرد.
گزارشها حاکی از آن است که این شرکت از سال ۲۰۲۰ اقدام به جذب نیروهای متخصص خارجی، از جمله مهندسان سابق ASML، کرده است؛ فرآیندی که با محدودیتهای حقوقی و چالشهای محرمانگی همراه بوده است.
۳. محدودیتهای فنی نمونه اولیه چینی
نمونه اولیه معرفیشده از نظر ابعاد، پایداری، نرخ بازده و قابلیت اطمینان، فاصله قابل توجهی با سامانههای تجاری ASML دارد و تاکنون به تولید صنعتی تراشههای قابل استفاده منجر نشده است.
یکی از چالشهای بنیادین، سامانه اپتیکی EUV است. آینههای چندلایه با دقت زیر نانومتر که توسط شرکت Zeiss SMT تولید میشوند، نقشی حیاتی دارند و کوچکترین خطا در آنها میتواند کل فرآیند را مختل کند.
۴. چشمانداز زمانی و ملاحظات صنعتی
اگرچه برنامههای رسمی چین دستیابی به تولید عملیاتی EUV تا سال ۲۰۲۸ را هدفگذاری کردهاند، بسیاری از تحلیلگران این بازه زمانی را خوشبینانه ارزیابی میکنند.
تجربه ASML نشان میدهد توسعه EUV فرایندی چنددهساله بوده است؛ نخستین نمونه اولیه در سال ۲۰۰۱ ساخته شد و تجاریسازی واقعی آن نزدیک به دو دهه بعد محقق شد.
بر این اساس، حتی در صورت پیشرفت تدریجی، فاصله چین با مرز فناوری جهانی — بهویژه در گذار به High-NA EUV — در کوتاهمدت حفظ خواهد شد.
جمعبندی
دستیابی چین به یک نمونه اولیه EUV را باید گامی پژوهشی و راهبردی دانست، نه نشانهای از شکستن انحصار تجاری ASML. فاصله میان نمونه آزمایشگاهی و تولید صنعتی پایدار، همچنان چالش اصلی این مسیر باقی خواهد ماند.
