شرکت ایمک (Imec) از آغاز مسیر جدیدی در برنامههای خود خبر داد که بر توسعهی فناوری نیترید گالیم (GaN) بر بستر ویفرهای ۳۰۰ میلیمتری برای کاربردهای الکترونیک قدرت با ولتاژ پایین و بالا متمرکز است. استفاده از ویفرهای ۳۰۰ میلیمتری امکان توسعهی دستگاههای الکترونیک قدرت پیشرفتهتر و کاهش هزینههای تولید را فراهم میکند.
شرکتهای AIXTRON، GlobalFoundries، KLA Corporation، Synopsys و Veeco به عنوان نخستین شرکای این برنامه معرفی شدهاند که نشاندهندهی شکلگیری یک اکوسیستم کامل در این حوزه است.
لوون (بلژیک)، ۶ اکتبر ۲۰۲۵ — ایمک، بهعنوان یکی از مراکز پیشرو جهانی در پژوهش و نوآوری در نانوالکترونیک و فناوریهای دیجیتال، از همکاری با شرکتهای فوق در مسیر جدید برنامهی نوآوری خود بر روی نیترید گالیم ۳۰۰ میلیمتری برای کاربردهای الکترونیک قدرت خبر داد.
این مسیر جدید، بخشی از برنامهی همکاری صنعتی ایمک با عنوان (IIAP) در زمینهی الکترونیک قدرت مبتنی بر GaN است، که با هدف توسعهی فرایند رشد اپیتاکسی GaN بر بستر ۳۰۰ میلیمتری و فرایند ساخت ترانزیستورهای HEMT در محدودهی ولتاژ پایین و بالا ایجاد شده است.
عرضهی اخیر شارژرهای سریع مبتنی بر GaN در بازار، پتانسیل بالای این فناوری را در کاربردهای الکترونیک قدرت نشان میدهد. با پیشرفت مداوم در زمینهی رشد اپیتاکسی GaN، ساخت دستگاهها، افزایش قابلیت اطمینان و بهینهسازی در سطح سیستم، فناوری GaN به عنوان نسل جدید محصولات الکترونیک قدرت مطرح شده است.
این محصولات با ابعاد کوچکتر، وزن کمتر و بازده بالاتر نسبت به راهحلهای مبتنی بر سیلیکون عرضه خواهند شد. از جمله کاربردهای آنها میتوان به شارژرهای درونخودرویی، مبدلهای DC/DC خودروهای برقی، اینورترهای خورشیدی و سامانههای توزیع توان در مراکز داده و هوش مصنوعی اشاره کرد.
یکی از روندهای مهم در توسعهی فناوری GaN، حرکت به سمت ویفرهای با قطر بزرگتر است. در حالی که ظرفیت فعلی بیشتر بر پایهی ویفرهای ۲۰۰ میلیمتری است، ایمک با راهاندازی برنامهی ۳۰۰ میلیمتری گام بعدی را با تکیه بر تجربهی خود در ۲۰۰ میلیمتری برمیدارد.
استفان دکوتره، عضو ارشد و مدیر برنامهی الکترونیک قدرت GaN در ایمک میگوید:
“مزایای گذار به ویفرهای ۳۰۰ میلیمتری فراتر از افزایش ظرفیت تولید و کاهش هزینهها است. فناوری GaN سازگار با CMOS ما اکنون به تجهیزات پیشرفتهی ۳۰۰ میلیمتری دسترسی دارد که امکان توسعهی ادوات توان مبتنی بر GaN پیشرفتهتر را فراهم میکند.”
در چارچوب این برنامه، ابتدا یک پلتفرم فناوری HEMT با گیت p-GaN جانبی برای کاربردهای ولتاژ پایین (۱۰۰ ولت و کمتر) ایجاد خواهد شد. در مراحل بعدی نیز کاربردهای ولتاژ بالا با استفاده از زیرلایههای مهندسیشدهی QST® توسعه خواهند یافت.
دکوتره در پایان افزود:
“موفقیت توسعهی GaN در مقیاس ۳۰۰ میلیمتری به توانایی ایجاد یک اکوسیستم قدرتمند و همکاری نزدیک میان طراحی، اپیتاکسی، فرایند و پکیجینگ بستگی دارد. از پیوستن شرکتهای یادشده بهعنوان نخستین شرکای این مسیر استقبال میکنیم.”
